AOS公司瞬态电压抑制器（TVS）系列，涵盖单向与双向架构，具备低钳位电压、快速响应及高浪涌承受能力，广泛用于消费电子、通信与工业接口的ESD及雷击防护，为敏感电路提供可靠过压保护。

AOS公司氮化镓功率器件融合低损耗开关与高耐压特性，显著提升电源转换效率与功率密度。面向快充、服务器电源及光伏逆变等场景，其优化的栅极驱动与热管理设计，为高能效电力电子系统提供可靠选型支撑。

AOS多相控制器与DrMOS系列面向服务器、GPU及高端计算平台的VRM供电需求，集成驱动与功率级，以高效率、高功率密度和快速瞬态响应著称，支持多相扩展与智能调压，为数据中心和AI加速卡提供稳定可靠的核心电源方案。

AOS理想二极管与ORing控制器以低导通电阻MOSFET替代传统肖特基二极管，显著降低压降与热损耗，实现高效电源冗余与反向电流保护。具备快速关断、低静态电流及宽输入电压范围，适用于服务器、通信基站、工业电源及冗余供电系统，提升系统可靠性与能效。

AOS公司功率MOSFET覆盖中低压至高压全系列，采用先进沟槽与屏蔽栅工艺，具备低导通电阻、低栅极电荷及优异开关特性。适用于电源适配器、电机驱动、光伏逆变及新能源汽车等场景，为高效功率转换提供可靠选型方案。

AOS公司电池保护与充电管理IC系列，集成高精度检测与低导通电阻MOSFET，专为单节及多节锂离子电池设计。具备过充、过放、过流及温度保护功能，适用于智能手机、可穿戴设备及电动工具，以高集成度与低功耗特性提升系统安全与续航。

AOS公司超结MOSFET采用深沟槽电荷平衡结构，突破传统硅极限，实现更低导通电阻与栅极电荷。该系列覆盖高压至中压范围，兼具高耐压与低损耗，适用于快充、服务器电源、光伏逆变及工业电机驱动，为高效高密度功率设计提供可靠选型。

AOS公司功率集成电路（Power IC）系列集成栅极驱动、控制与保护功能，覆盖中低压至高压应用，兼具低导通损耗与高开关频率特性。凭借先进封装与BCD工艺，广泛适用于快充、适配器、电机驱动及服务器电源等场景，为高效能电源设计提供高集成度、高可靠性的国产替代与全球选型方案。

AOS公司屏蔽栅沟槽MOSFET（SGT）系列采用先进电荷平衡技术，显著降低导通电阻与栅极电荷，提升开关效率与功率密度。该系列兼顾低损耗与高可靠性，广泛适用于同步整流、DC-DC转换、电机驱动及负载开关等场景，是中低压功率设计的理想选择。