Ampleon（安谱隆）高功率射频功率晶体管系列，基于先进LDMOS工艺，覆盖HF至S波段，具备高增益、高效率和优异热稳定性，适用于5G基站、工业加热、医疗射频及广播发射等场景，为高可靠性射频功率放大提供核心器件支撑。

Ampleon宽带射频功率晶体管采用先进LDMOS与GaN技术，覆盖HF至S波段，具备高功率密度、宽瞬时带宽与优异热稳定性。适用于5G基站、广播发射、工业加热及医疗射频等场景，为严苛射频系统提供高效可靠的放大方案。

Ampleon射频功率晶体管（脉冲）系列基于先进LDMOS工艺，专为脉冲射频功率放大设计，具备高峰值功率、高增益和优异的热稳定性。广泛应用于雷达、电子战、医疗核磁及工业射频加热等领域，是高性能脉冲射频系统的理想选择。

Ampleon公司（安谱隆）射频功率晶体管（VDMOS）系列，采用垂直双扩散金属氧化物半导体技术，兼具高击穿电压与低导通电阻，适用于广播发射、工业加热、医疗射频及通信基站等高频大功率场景。产品以高增益、高可靠性和优异热稳定性著称，是射频功率放大设计的理想选择。

Ampleon射频功率双极性晶体管覆盖HF至S波段，采用成熟LDMOS与双极性工艺，具备高击穿电压、优异热稳定性和线性度，广泛用于广播发射、工业加热、医疗射频及通信基站等场景，是高频高功率设计的可靠之选。

Ampleon（安谱隆）射频功率晶体管（LDMOS）系列，基于先进横向扩散金属氧化物半导体工艺，具备高增益、高耐压与优异热稳定性，广泛用于5G基站、工业射频加热、广播发射及雷达系统。该系列覆盖多频段与功率等级，为高可靠性射频功率放大提供成熟方案。

Ampleon安谱隆射频功率晶体管基于成熟DMOS工艺，覆盖高频至微波频段，兼具高击穿电压、高增益与优异热稳定性。适用于通信基站、工业加热、射频能量与广播发射等场景，以高可靠性和批次一致性著称，是射频功率放大设计的优选方案。

Ampleon公司（安谱隆）射频功率晶体管采用先进氮化镓（GaN）工艺，具备高功率密度、高效率和优异热稳定性，适用于5G基站、雷达、工业射频及广播等场景，为新一代射频系统提供可靠的核心放大方案。

Ampleon公司（安谱隆）射频功率晶体管采用碳化硅（SiC）技术，兼具高击穿电压与优异热导率，可在高频高压下稳定输出。该系列面向5G基站、工业射频加热及雷达等场景，为严苛射频功率应用提供高效可靠的解决方案。