CGD公司ICeGaN功率IC采用单片集成氮化镓技术，将驱动、保护与功率级融合于单芯片，显著简化设计并提升可靠性。产品覆盖650V及更高电压等级，适用于快充、数据中心、光伏逆变与车载充电，兼具高开关频率与低损耗优势，是硅基方案升级的理想选择。

CGD公司ICeGaN智能功率级集成氮化镓功率器件与驱动保护电路，实现高频高效开关，显著降低系统损耗与尺寸。适用于快充、数据中心、光伏逆变等场景，为工程师提供高可靠、易选型的宽禁带半导体方案。

CGD公司ICeGaN 650V功率晶体管采用集成式氮化镓技术，兼具高开关频率与低损耗特性，显著提升电源效率与功率密度。其内置智能栅极驱动与保护功能，简化系统设计，适用于快充、数据中心、光伏逆变及工业电源等场景，是下一代高效功率转换的理想选择。

CGD公司ICeGaN氮化镓功率晶体管采用智能集成栅极技术，兼具高开关频率与低损耗特性，显著提升电源系统功率密度与能效。适用于快充、数据中心、光伏逆变及车载充电等领域，为下一代高效电力电子设计提供理想解决方案。

CGD公司ICeGaN半桥功率模块采用集成式氮化镓技术，将驱动、保护与功率管单片集成，显著降低寄生参数与开关损耗。该模块面向高频高效电源转换，适用于数据中心、光伏逆变及车载充电，为工程师提供高功率密度与高可靠性的选型方案。

CGD公司ICeGaN系列高频开关晶体管基于氮化镓高电子迁移率晶体管技术，集成智能栅极驱动与保护功能，具备低导通电阻、低开关损耗及优异热性能，适用于高效电源适配器、数据中心电源、车载充电机及光伏微型逆变器等高频高功率密度场景，助力系统提升效率与可靠性。

CGD公司ICeGaN集成栅极驱动晶体管，将GaN HEMT与智能栅极驱动单芯片集成，显著简化设计、提升效率与可靠性。适用于快充、数据中心、光伏逆变等高频高效场景，是中高功率电力电子选型的理想方案。

CGD公司ICeGaN单管功率器件采用集成式氮化镓技术，将驱动与保护功能融合于单芯片，显著提升开关频率与能效。适用于快充、数据中心及光伏逆变等场景，兼具易用性与高可靠性，是硅基MOSFET的理想升级方案。

CGD公司ICeGaN 1200V功率晶体管采用集成式氮化镓技术，兼具高耐压与低导通电阻，显著降低开关损耗。其独特的栅极驱动集成设计简化系统开发，提升可靠性，适用于电动汽车充电、光伏逆变器及工业电源等高压高频场景，是替代传统硅基IGBT的理想方案。