CREE J系列高光效LED采用先进芯片与荧光粉技术，实现卓越流明维持率与光效。适用于商业照明、背光及工业领域，兼具高可靠性与设计灵活性，是高效能固态照明方案的理想选择。
CREE直插式LED延续科锐在碳化硅与氮化镓材料体系的技术积淀，采用通孔封装结构，具备高亮度、低光衰与优异热稳定性。产品覆盖多种波长与视角，适用于工业指示、消费电子背光、交通信号及户外显示等场景，是严苛环境下可靠发光的经典之选。
CREE陶瓷封装大功率LED采用高导热陶瓷基板与共晶焊接工艺，具备优异的热稳定性与抗硫化能力，适用于户外照明、工业固化及汽车前照灯等严苛场景。其低热阻、高光效特性可显著提升系统可靠性并延长使用寿命，是中高端照明设计的理想光源选择。
CREE XLamp系列大功率LED采用碳化硅基板与垂直结构芯片技术，具备高光效、低热阻及优异的光色一致性。覆盖从1W到10W以上功率等级，广泛应用于户外照明、工业照明、汽车电子及特种UV固化领域，是高端固态照明设计的标杆选择。
CREE公司表面贴装LED采用高可靠性封装与先进荧光转换技术，具备高光效、低热阻与优异色彩一致性。覆盖中功率至大功率全系列，适用于通用照明、背光显示及汽车电子等场景。其稳定的供应链与严苛的品质管控，为设计选型提供长期保障。
CREE公司碳化硅功率模块采用第三代宽禁带半导体技术，具备高耐压、低导通电阻与优异高温特性，显著降低开关损耗，提升系统效率与功率密度。适用于新能源汽车、光伏逆变、工业电源等高效高可靠场景。
CREE公司碳化硅功率MOSFET采用第三代宽禁带半导体技术，具备高耐压、低导通电阻与优异高温特性，显著降低开关损耗，适用于光伏逆变、电动汽车充电、工业电源等高频高效场景，是替代传统硅基器件的理想选择。
CREE公司碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）采用宽禁带半导体技术，具备零反向恢复电流、高耐压与优异高温特性，显著降低开关损耗，适用于光伏逆变器、电动汽车充电桩及工业电源等高效能场景，是下一代功率转换设计的理想选择。
CREE XP系列中小功率LED采用碳化硅基板与垂直薄膜芯片技术，具备高光效、低热阻与优异光色一致性。覆盖XP-E、XP-G、XP-L等型号，适用于商业照明、户外灯具及工业视觉，是紧凑型高可靠设计的理想选择。
