ElectronAix波束成形IC系列集成多通道幅相控制与波束赋形引擎，覆盖Sub-6GHz至毫米波频段，支持高精度相位与增益调节。其低功耗、高集成度特性适配5G基站、卫星通信与雷达系统，助力相控阵架构小型化与能效优化，为下一代无线基础设施提供核心芯片支撑。

ElectronAix射频二极管系列涵盖PIN、肖特基与变容二极管，具备低插入损耗、高隔离度与快速开关特性，适用于通信基站、雷达及测试仪器等射频前端电路，兼顾高频性能与功率处理能力。

ElectronAix氮化镓射频功率放大器采用先进GaN HEMT工艺，兼具高功率密度、高效率和宽禁带优势，适用于5G基站、雷达、卫星通信等场景。系列产品覆盖Sub-6GHz至毫米波频段，助力射频前端实现更小体积与更高能效。

ElectronAix射频开关系列基于SOI与GaAs工艺，覆盖DC至8GHz宽频段，具备低插损、高隔离度及快速切换特性。产品适用于5G通信、Wi-Fi 6E及测试测量设备，支持高线性度与低功耗设计，为射频前端提供可靠信号路由方案。

ElectronAix射频前端模块集成PA、LNA、开关与滤波，覆盖Sub-6GHz及毫米波频段，具备高线性度、低噪声与优异能效，适用于5G基站、Wi-Fi 6E及物联网终端，助力紧凑型射频设计。

ElectronAix微波毫米波器件覆盖DC至110GHz，采用GaAs、GaN及SiGe工艺，兼具低噪声、高线性与高功率特性，广泛应用于5G基站、卫星通信、汽车雷达及测试仪器，为射频前端提供高可靠选型方案。

ElectronAix低噪声放大器系列专为高灵敏度射频接收链路设计，覆盖sub-6GHz至毫米波频段，具备超低噪声系数与高线性度。该系列采用先进SiGe与GaAs工艺，适用于5G基站、卫星通信、雷达及测试仪器，助力工程师优化系统灵敏度与动态范围。

ElectronAix射频收发器系列覆盖Sub-6GHz至毫米波频段，集成高线性度PA、低噪声LNA与精密IQ调制器，支持TDD/FDD双工及多频段载波聚合。凭借低相噪本振与快速跳频能力，该系列在5G基站、相控阵雷达及卫星通信中表现卓越，为高吞吐量无线链路提供可靠核心。

ElectronAix射频功率晶体管系列覆盖LDMOS、GaN HEMT与SiGe工艺，针对5G基站、雷达、工业射频等场景优化，兼具高功率密度、高效率和优异线性度，为射频前端设计提供可靠选型方案。