MACOM射频无源器件涵盖耦合器与功分器，采用厚膜与薄膜工艺，具备低插损、高隔离、宽频带特性，适用于5G基站、雷达及测试仪器。其表贴封装与高功率处理能力，为射频前端提供可靠信号分配与合成方案。
MACOM硅光子学平台基于标准CMOS工艺，集成调制器、探测器与波导，面向400G/800G及更高速率光互连。该平台兼具低功耗、高带宽与高集成度优势，可显著降低数据中心与AI集群的功耗和成本，是下一代光通信的核心技术方案。
MACOM混频器与调制器系列覆盖基带到毫米波频段，兼具低变频损耗、高线性度与宽带匹配特性，广泛用于5G通信、相控阵雷达、卫星载荷及测试仪器，为射频前端提供高集成度信号变换方案。
MACOM光通信激光驱动器系列覆盖25G至800G速率，集成偏置与调制控制，具备低功耗、高线性度及优异抖动性能，广泛用于数据中心、5G前传及相干光传输，是高速光模块设计的理想选择。
MACOM公司提供高性能PIN、肖特基与变容二极管系列，覆盖射频开关、混频、检波与压控振荡等场景。凭借低损耗、高线性度与优异频率特性，广泛用于通信、雷达及测试设备，满足严苛应用需求。
MACOM光通信跨阻放大器（TIA）系列专为高速光模块设计，覆盖100G至800G及更高速率，具备低噪声、高带宽与优异灵敏度，适配PIN与APD探测器，广泛应用于数据中心、5G前传及相干光通信，是光接收链路的核心器件。
MACOM射频开关基于SOI与GaAs工艺，覆盖DC至毫米波频段，具备低插损、高隔离与快速切换特性，适用于5G基站、相控阵雷达及测试仪器，为射频前端提供高可靠信号路由方案。
MACOM氮化镓功率器件基于宽禁带半导体技术，具备高击穿电压、低导通电阻与优异热导率，适用于5G基站、雷达、工业电源及射频能量应用。该系列兼顾高功率密度与效率，为严苛环境提供可靠解决方案。
MACOM射频功率放大器基于GaN on SiC与LDMOS工艺，覆盖DC至毫米波频段，具备高功率密度、高效率和优异线性度。产品适用于5G通信、雷达、电子对抗及工业射频能量应用，为严苛环境提供可靠高效的信号放大方案。
