SemiQ车规级SiC二极管通过AEC-Q101认证，具备零反向恢复、低正向压降与高温稳定特性，可显著降低开关损耗，提升系统效率。适用于新能源汽车OBC、DC-DC、牵引逆变器及充电桩等场景，助力高功率密度与高可靠性设计。

SemiQ碳化硅肖特基二极管采用宽禁带半导体材料，具备零反向恢复电流、高耐压与优异高温特性，可显著降低开关损耗并提升系统效率。该系列适用于光伏逆变、电动汽车充电及工业电源等高频高功率场景，是替代传统硅基快恢复二极管的理想选择。

SemiQ碳化硅MOSFET系列采用第三代宽禁带半导体技术，具备低导通电阻、高速开关与高温稳定性，显著降低开关损耗与散热需求。适用于新能源汽车、光伏逆变、工业电源及充电桩等高效高功率密度场景，助力系统小型化与能效升级。

SemiQ公司650V SiC MOSFET系列采用第三代宽禁带半导体技术，具备低导通电阻、高速开关与优异高温稳定性，适用于光伏逆变器、车载充电机、工业电源及储能变流器等高效功率转换场景，助力系统提升功率密度与可靠性。

SemiQ公司SiC二极管裸芯片采用第四代碳化硅肖特基工艺，具备零反向恢复、高耐压与优异高温特性，适用于高频功率变换、光伏逆变及新能源汽车OBC等场景，为紧凑型高可靠设计提供核心裸片方案。

SemiQ车规级SiC MOSFET采用宽禁带半导体技术，具备高耐压、低导通电阻与优异高温特性，专为新能源汽车电驱、OBC及充电桩等严苛场景设计，助力系统实现更高效率与功率密度。

SemiQ公司推出的SiC功率器件评估板，专为碳化硅MOSFET与肖特基二极管性能验证而设计。该系列评估板具备低寄生电感布局、高带宽电流检测与多重保护机制，可加速光伏逆变器、车载充电机及工业电源的研发迭代，是功率电子工程师优化拓扑与驱动参数的理想平台。

SemiQ碳化硅功率模块采用先进SiC MOSFET技术，具备低导通电阻、高速开关与高温耐受特性，显著降低开关损耗与系统体积。适用于新能源汽车、光伏逆变、储能及工业电源，助力高效高密度功率转换设计。

SemiQ公司SiC功率模块提供半桥与全桥拓扑，基于碳化硅MOSFET技术，具备低导通电阻、高速开关与高温耐受能力，适用于新能源汽车电驱、光伏逆变、储能变流及工业电源等高效高密场景，助力系统提升功率密度与可靠性。