Slkor萨科微ESD静电保护二极管系列，采用先进半导体工艺，具备超低钳位电压与快速响应特性，为高速数据接口、USB Type-C、HDMI及消费电子提供可靠静电防护。产品涵盖多种封装与工作电压，满足IEC61000-4-2标准，助力提升系统EMC可靠性。
Slkor萨科微TVS瞬态抑制二极管，采用先进半导体工艺，具备纳秒级响应、低钳位电压与高浪涌承受能力，广泛用于消费电子、工业控制、通信及汽车电子的ESD与浪涌防护，为敏感电路提供可靠保护。
Slkor萨科微功率模块涵盖IGBT与MOSFET模块，采用先进沟槽栅与场截止技术，具备低导通压降、高开关频率及优异热稳定性。产品面向工业变频、光伏逆变、新能源汽车与储能系统，以高可靠性和一致性的封装工艺，助力电力电子设计实现更高效率与功率密度。
Slkor公司（萨科微）MOSFET系列覆盖中低压至高压全电压谱系，采用先进沟槽与超结工艺，兼具低导通电阻、低栅极电荷与高雪崩耐量。产品广泛应用于电源管理、电机驱动、光伏逆变及汽车电子等领域，以高可靠性与一致性的性能表现，为设计工程师提供灵活的功率开关选型方案。
Slkor（萨科微）通用二极管与整流桥系列覆盖1N400x至1N540x等主流规格，具备高浪涌电流承受力、低正向压降与稳定反向耐压特性，广泛用于电源适配器、充电器、开关电源及工业控制电路的整流、续流与极性保护，以高性价比和可靠供货满足大批量应用需求。
Slkor公司IGBT系列融合MOSFET高速开关与双极晶体管低导通压降优势，具备高耐压、大电流、低饱和压降特性，广泛应用于电机驱动、光伏逆变、新能源汽车及工业电源等领域，为高效能功率转换提供可靠核心器件。
Slkor萨科微运算放大器系列以低失调电压、低功耗与高共模抑制比为核心优势，覆盖通用型、精密型与低噪声型多种架构，适用于工业控制、传感器信号调理、便携医疗电子及消费类电源管理等场景，为设计者提供稳定可靠的国产化模拟信号链解决方案。
Slkor公司碳化硅MOSFET采用宽禁带半导体技术，具备高耐压、低导通电阻与优异高温特性，显著降低开关损耗，适用于电动汽车、光伏逆变及工业电源等高效功率转换场景，助力系统提升能效与功率密度。
Slkor公司电压稳压器（LDO）系列，以低压差、低噪声与高电源抑制比为核心优势，适用于便携设备、射频模块及工业控制等场景。产品覆盖宽输入电压与多档固定输出，兼具快速瞬态响应与低静态电流，为高精度供电提供可靠方案。
