Transphorm氮化镓栅极驱动器专为增强型GaN HEMT优化，提供精准栅极电压钳位与快速开关能力，显著降低开关损耗并提升系统效率。其高抗扰度设计确保在高频、高功率密度应用中稳定可靠，适用于服务器电源、光伏逆变器及车载充电机等场景。

Transphorm氮化镓肖特基势垒二极管采用GaN-on-SiC外延与共栅共源架构，具备零反向恢复电荷与低正向压降特性，可显著降低高频开关损耗。适用于服务器电源、光伏逆变器及车载充电机等高效功率转换场景。

Transphorm氮化镓功率级集成GaN HEMT与驱动电路，实现高频高效功率转换。具备低开关损耗、高耐压与快速开关特性，适用于服务器电源、光伏逆变器及车载充电机。其 cascode 结构兼容标准硅驱动，简化设计并提升可靠性，是下一代高功率密度电源的核心器件。

Transphorm氮化镓共源共栅器件采用独特Cascode架构，集成常关型GaN HEMT与低压硅MOSFET，兼具高耐压、低导通电阻与高频开关能力。该系列支持MHz级开关频率，显著降低开关损耗与驱动复杂度，适用于快充、服务器电源、光伏逆变及电动汽车OBC等高效高密度场景。

Transphorm氮化镓功率适配器方案基于高压GaN HEMT技术，实现高开关频率与低损耗，显著提升适配器功率密度与能效。方案覆盖65W至300W应用，支持USB PD快充协议，具备优异热性能与可靠性，适合紧凑型消费电子与工业电源设计。

Transphorm氮化镓车载充电器方案基于高压GaN HEMT技术，显著提升OBC功率密度与效率，支持双向充放电，适用于800V及400V平台，助力电动汽车轻量化与快速充电。

Transphorm氮化镓功率IC集成驱动与保护功能，具备高开关频率、低损耗与高可靠性，适用于快充、数据中心、光伏逆变及车载充电等高效高密度电源场景。

Transphorm氮化镓数据中心电源方案基于高压GaN HEMT技术，显著提升服务器电源与UPS的功率密度和转换效率。该方案支持图腾柱PFC与LLC拓扑，降低开关损耗与系统成本，满足80 Plus钛金标准，助力绿色数据中心降低能耗与散热需求。

Transphorm 650V氮化镓功率晶体管采用常闭型HEMT结构，具备低导通电阻与极低开关损耗，支持高频高效运行。适用于服务器电源、光伏逆变器、车载充电及快充适配器，助力提升功率密度与能效，是替代传统硅器件的理想选择。