WAVEPIA公司GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）采用氮化镓宽禁带半导体技术，具备高击穿电压、高电子迁移率与优异热稳定性，适用于5G基站、雷达、卫星通信等高频高功率场景，是下一代射频功率放大的核心器件。

WAVEPIA公司GaN功率器件基于氮化镓高电子迁移率晶体管技术，具备低导通电阻、高开关频率与优异热稳定性，适用于5G通信、数据中心及新能源汽车等高效电源场景，为下一代电力电子设计提供关键支撑。

WAVEPIA公司GaN定制射频解决方案，基于氮化镓高电子迁移率晶体管技术，提供高功率密度、高效率的射频前端与功放模块定制服务，适用于5G基站、雷达、卫星通信及电子对抗等严苛场景，兼顾热管理与线性度优化。

WAVEPIA公司GaN射频开关采用氮化镓工艺，具备高功率容量、低插入损耗与快速切换特性，适用于5G基站、雷达及测试仪器等场景。其高电子迁移率与耐高温能力显著提升射频前端效率与可靠性，是高性能射频链路的关键器件。

WAVEPIA公司GaN MMIC系列采用氮化镓工艺，覆盖Sub-6GHz至毫米波频段，具备高功率密度、高效率和优异热稳定性，适用于5G基站、卫星通信、雷达及电子战等严苛场景，为射频前端提供紧凑可靠的国产化选型方案。

WAVEPIA公司GaN宽带功率放大器采用氮化镓技术，覆盖多倍频程带宽，兼具高功率密度与高效率，适用于电子对抗、5G通信及测试测量等场景，为严苛射频系统提供稳定可靠的国产化替代方案。

WAVEPIA公司GaN射频收发模块采用氮化镓工艺，兼具高功率密度与宽禁带优势，覆盖Sub-6GHz至毫米波频段。模块集成收发链路与匹配电路，适用于5G基站、相控阵雷达及卫星通信，在效率、热稳定性和线性度上表现突出，是高频高功率场景的理想前端方案。

WAVEPIA公司GaN射频功率放大器采用氮化镓高电子迁移率晶体管技术，具备高功率密度、高效率与优异热稳定性，覆盖Sub-6GHz至毫米波频段，适用于5G基站、卫星通信及雷达系统，为射频前端提供可靠高效的功率放大解决方案。

WAVEPIA公司GaN射频前端模块采用氮化镓工艺，集成驱动与末级放大，覆盖Sub-6GHz频段，具备高功率密度、高效率与优异线性度，适用于5G基站、相控阵雷达及微波通信，助力系统小型化与热管理优化。