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基本参数
  • 制造商:IR(国际整流器)
  • 封装:8-SO
  • 实时报价,当天发货
  • 功能:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
  • 欢迎通过电话、邮件、在线QQ与我们联系取得报价
  • 基本功能
  • 制造商零件编号:IRF7464TRPBF
  • 制造商:International Rectifier
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
  • 系列:HEXFET
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.2A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):730 毫欧 @ 720mA,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):280pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:2.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
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