基本参数
制造商：IXYS封装：TO-220AB实时报价，当天发货功能：单端场效应管规格：MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB欢迎通过电话、邮件、在线QQ与我们联系取得报价
基本功能
制造商零件编号：IXTP1R6N100D2制造商：IXYS描述：MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：耗尽模式漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.6A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：10 欧姆 @ 800mA，0V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：645pF @ 25V功率 - 最大值：100W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB
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