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三星半导体
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K6T1008V2E-GB70000
K6T1008V2E-GB70000
制造:
三星半导体
类别:
SRAM存储器IC
规格:
0
出厂封装
K6T1008V2E-GB70000技术资料下载
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基本功能
三星半导体完整型号:K6T1008V2E-GB70000
存储器结构:1M×8
速度:70ns
电源电压:3.3V
包装:SOP
环保标准:
K6T1008V2E-GB70000 | 三星半导体代理全新原装现货
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