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三星半导体
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M312L3223EG0-CB3
M312L3223EG0-CB3
制造：
三星半导体
类别：
存储器模组
规格：
0
出厂封装
M312L3223EG0-CB3技术资料下载
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基本功能
三星半导体完整型号：M312L3223EG0-CB3
存储器结构：32Mx72
速度：0.7ns
电源电压标准：2.5V
包装：RDIMM
类型：184RDIMM
环保标准：M312L3223EG0-CB3 | 三星半导体代理全新原装现货
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