AMBO公司汽车级功率二极管系列通过AEC-Q101认证,具备高浪涌电流承受能力与低正向压降特性,适用于车载充电器、DC-DC转换器及电机驱动等场景。产品采用先进钝化与封装工艺,确保在高温、高湿及振动环境下长期可靠运行,满足汽车电子严苛的寿命与安全要求。
AMBO公司中低压MOSFET系列采用先进沟槽栅与屏蔽栅工艺,覆盖30V至200V电压区间,具备低导通电阻、低栅极电荷及优异开关特性。产品适用于同步整流、DC-DC转换、电机驱动及电池保护等场景,兼顾高效能与高可靠性,满足消费电子、工业控制及汽车电子的严苛需求。
AMBO公司IGBT系列产品采用先进沟槽栅与场截止技术,具备低导通压降与优异开关特性,适用于工业变频、新能源发电及电动汽车等高效功率变换场景,为严苛工况提供高可靠性的功率半导体解决方案。
AMBO公司整流桥系列采用玻璃钝化芯片与低热阻封装工艺,具备高浪涌电流承受力与低正向压降特性,适用于开关电源、适配器及工业控制等AC-DC整流场景,兼顾效率与可靠性。
AMBO公司快恢复二极管(FRD)系列具备短反向恢复时间与低正向压降特性,可显著降低开关损耗与电磁干扰。产品覆盖多档电压电流等级,适用于开关电源、逆变器、续流与高频整流场景,为高效能电力电子设计提供可靠选型支撑。
AMBO公司肖特基二极管采用金属-半导体结技术,具备低正向压降与快速开关特性,可显著降低导通损耗并提升系统效率。该系列产品覆盖多种封装与电压电流规格,适用于开关电源、DC-DC转换器、续流保护及高频整流等场景,为高效能电子设计提供可靠支撑。
AMBO公司碳化硅肖特基二极管采用宽禁带半导体材料,具备零反向恢复电荷、高耐压与优异高温特性,显著降低开关损耗,适用于光伏逆变器、车载充电机、开关电源及工业电机驱动等高频高效场景,是替代传统硅基快恢复二极管的理想选择。
AMBO开关二极管系列具备纳秒级反向恢复时间与低结电容特性,适用于高频信号切换、脉冲整流及逻辑保护电路。产品覆盖SOD-123、SOT-23等封装,兼顾低漏电流与高可靠性,满足消费电子、通信设备及工业控制的严苛选型需求。
AMBO公司超快恢复二极管系列具备极短反向恢复时间与低正向压降,适用于高频开关电源、逆变器及PFC电路。其软恢复特性有效抑制EMI,提升系统效率与可靠性,是高频功率转换场景的理想选择。