Alliance Memory移动SDRAM系列专为低功耗、高带宽的移动应用设计，支持1.8V/2.5V/3.3V多电压，提供从64Mb到512Mb的密度选择。其低自刷新电流和深度省电模式显著延长电池续航，适用于智能手机、平板、便携医疗及工业手持设备，是移动嵌入式系统的理想内存方案。
Alliance Memory SDRAM系列提供工业级同步动态随机存储器，涵盖64Mb至512Mb密度，兼容JEDEC标准，具备低功耗与高可靠性，适用于网络设备、工业控制、消费电子及嵌入式系统，是 legacy 设计升级与长期供货的理想选择。
Alliance Memory同步SRAM（ZBT/NoBL）系列采用零总线翻转与无总线延迟架构，提供高速、低功耗的数据缓存方案。该系列兼容主流工业标准，具备稳定的读写时序与宽温工作能力，适用于网络设备、通信基站、工业控制及医疗电子等对实时性要求严苛的场景，是高性能系统设计的可靠选择。
Alliance Memory异步SRAM系列涵盖低功耗与高速两大方向，采用成熟CMOS工艺，容量覆盖64Kb至64Mb，兼容主流工业标准引脚。低功耗型号待机电流低至微安级，高速型号访问时间可至10ns，适用于工业控制、网络设备、医疗电子及汽车电子等对可靠性与长期供货要求严苛的场景。
Alliance Memory双端口SRAM提供异步与同步两种架构，支持独立双端口同时读写，具备高带宽、低延迟特性，适用于多处理器通信、网络交换与工业实时缓存。其异步型号兼容经典低功耗设计，同步型号集成流水线寄存器，可提升系统时钟频率。产品覆盖宽温与工业级选项，是替代旧款SRAM的可靠选择。
Alliance Memory多芯片封装存储器（MCP）将NOR Flash、SRAM与DRAM等裸片集成于单一封装，显著节省PCB面积并简化设计。该系列覆盖工业级温度范围，具备低功耗与高可靠性，适用于网络设备、工业控制及便携终端等空间受限场景。
Alliance Memory eMMC存储芯片集成NAND闪存与控制器，符合JEDEC eMMC 5.1标准，提供4GB至128GB容量，具备高可靠性与宽温工作能力，适用于工业控制、车载电子、物联网及消费类终端，是嵌入式存储设计的理想选择。
Alliance Memory提供工业级并行与串行NOR Flash，支持快速随机读取与XIP，容量覆盖广，具备高可靠性和长期供货优势，适用于嵌入式启动、网络通信、工业控制及汽车电子等场景。
Alliance Memory提供全系列串行与并行EEPROM，涵盖IC、SPI、Microwire及并行接口，容量从1Kb至4Mb。具备高耐久性、低功耗与宽温区特性，适用于工业控制、汽车电子、消费类及通信设备的参数存储与配置数据保存，是 legacy 设计的可靠替代方案。
