CMS120N080B-Bruckewell公司-原装现货当天发货

CMS120N080B

制造：Bruckewell公司

类别：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET

规格：SIC N-MOSFET,1200V,35A,TO-263-7L

封装:TO-263-7

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CMS120N080B 基本功能

型号:CMS120N080B
品牌:Bruckewell公司
封装:TO-263-7
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:SIC N-MOSFET,1200V,35A,TO-263-7L
系列:-
包装:
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90mOhm @ 10A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
Vgs（最大值）:+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:188W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-263-7
封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
CMS120N080B-Bruckewell代理全新原装现货

关于Bruckewell公司MORE...

在功率半导体与模拟器件的选型链条里，真正拉开代理服务差距的往往不是报价速度，而是方案设计阶段的介入深度与FAE现场响应能力，Bruckewell公司正是凭借这两点在中低压MOSFET、肖特基二极管及TVS保护器件领域站稳了脚跟。从其产品布局来看，Bruckewell聚焦于40V至200V区间的沟槽与SGT工艺平台，在同步整流、DC-DC转换、电机驱动及电池保护等场景中具备明显的导通损耗与开关特性平衡优势，尤其适合消费类快充、工业电源与BMS前端等对效率与热设计敏感的场合。更值得关注的是其技术支持体系：FAE团队并非停留在数据手册层面的参数复述，而是能够结合客户具体拓扑给出栅极驱动电阻匹配、死区时间优化、热回路布局乃至EMI整改建议，甚至在早期方案定义阶段就协助完成器件降额曲线与雪崩耐量评估，从而把选型风险前置消化。对于中小型研发团队而言，这种贴近实际的失效分析与替代验证支持，往往比单纯的价格谈判更具长期价值。若需获取完整产品线资料与参考设计，可通过Bruckewell代理渠道对接原厂级技术资源，在样片申请、交叉参考与量产导入各环节获得连贯支撑，这也是当前供应链环境下务实且高效的器件落地路径。...