DIT公司功率模块封装基板采用先进AMB活性金属钎焊工艺，具备高导热、高可靠性与优异绝缘性能，专为IGBT、SiC功率模块设计，广泛应用于新能源汽车、光伏逆变及工业变频领域，是高性能功率封装的核心互连材料。

DIT公司半导体测试基板专为晶圆测试与芯片验证设计，具备高密度互连、低信号损耗与优异热稳定性，适用于逻辑、存储及功率器件测试，助力提升测试良率与效率。

DIT公司（DONG IL TECHNOLOGY）陶瓷基板涵盖DBC与AMB两大技术路线，采用高纯度氧化铝、氮化铝及氮化硅陶瓷，结合铜箔键合工艺，具备优异导热性、绝缘耐压与热循环可靠性。适用于IGBT、SiC功率模块、新能源汽车与光伏逆变器等场景，是功率电子封装的关键材料。

DIT公司陶瓷绝缘散热基板采用高导热陶瓷与直接键合铜工艺，兼具优异绝缘性与散热能力，适用于IGBT、SiC功率模块及新能源车电控系统。产品具备低热阻、高机械强度与耐高温循环特性，是功率电子热管理的关键材料。

DIT公司射频微波电路基板采用高频低损耗材料与精密工艺，具备低介电常数、低损耗因子及优异热稳定性，适配毫米波频段。产品广泛用于5G通信、汽车雷达、卫星系统，为高可靠性射频设计提供理想基板方案。

DIT公司陶瓷加热器采用高纯氮化铝与氧化铝陶瓷基体，集成钨或钼发热线路，具备快速升温、均匀温场与优异耐腐蚀性，广泛应用于半导体薄膜沉积、刻蚀与退火等关键制程，为晶圆制造提供稳定可靠的热解决方案。

DIT公司光通信模块基板面向高速光模块封装需求，兼具高导热、低介电损耗与优异尺寸稳定性，适配数据中心与电信网络光收发场景，为高密度光互连提供可靠基板方案。

DIT公司LED封装基板采用高导热陶瓷与金属复合结构，具备优异散热性与尺寸稳定性，适配高功率LED封装。产品覆盖COB、CSP及车规级应用，以低热阻、高耐压和长寿命著称，是高端照明与显示模组的理想基板选择。

DIT公司静电吸盘（ESC）采用陶瓷介电层与多区电极设计，实现晶圆均匀吸附与快速解吸。产品覆盖库仑型与约翰森-拉贝克型，适配刻蚀、CVD、PVD及离子注入等严苛制程，兼具高耐压、低漏电与长寿命特性，是先进制程与化合物半导体设备的关键核心部件。