Diamond公司功率MOSFET系列采用先进沟槽与屏蔽栅工艺，具备低导通电阻、低栅极电荷及优异雪崩耐量，覆盖30V至200V电压范围。产品适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换及电池保护等场景，以高可靠性和一致性的表现，满足工业与消费电子对高效功率转换的严苛需求。
Diamond公司桥式整流器采用先进平面工艺与玻璃钝化技术，具备低正向压降、高浪涌电流承受能力及优异热稳定性。产品覆盖消费电子、工业电源与汽车电子，以高可靠性和紧凑封装满足高效AC-DC转换需求，是严苛应用环境的理想选择。
Diamond公司稳压二极管（齐纳）系列提供从2.4V至200V的宽范围稳压值，具备低动态阻抗、高精度容差与优异温度稳定性。产品涵盖工业、汽车、通信及消费电子，适合电源钳位、过压保护与基准电压源设计，以可靠品质助力电路精准稳压。
Diamond公司整流二极管系列涵盖标准恢复、快速恢复与超快恢复类型，具备低正向压降、高浪涌电流承受能力及优异热稳定性，广泛适用于开关电源、逆变器、充电器与工业控制电路，为高效能电源设计提供可靠整流方案。
Diamond公司TVS瞬态电压抑制二极管系列，采用先进半导体工艺，具备皮秒级响应速度与低钳位电压特性，可有效防护ESD、雷击浪涌及感性负载切换瞬变。产品覆盖消费电子、工业控制、汽车电子及通信基站等场景，为敏感电路提供高可靠过压保护。
Diamond公司开关二极管系列具备纳秒级反向恢复时间与低结电容特性，适用于高频信号切换、脉冲整流及逻辑保护电路。产品采用成熟台面与平面工艺，兼顾低漏电流与高可靠性，广泛用于通信、消费电子及工业控制领域，为高速开关场景提供稳定高效的国产化替代方案。
Diamond公司二极管阵列系列采用先进半导体工艺，集成多通道ESD保护与低电容设计，适用于高速数据接口、通信设备及消费电子。其卓越的钳位性能和紧凑封装，为敏感电路提供可靠防护，助力工程师优化系统可靠性。
Diamond公司氮化镓器件采用先进GaN-on-Si工艺，具备低导通电阻、高开关频率与优异热稳定性，适用于快充、数据中心、车载电源及光伏逆变等高效高密度场景，助力系统小型化与能效升级。
Diamond公司碳化硅二极管采用宽禁带半导体技术，具备零反向恢复、高耐压与低损耗特性，可显著提升高频开关电源效率与功率密度。适用于光伏逆变、车载充电及工业电机驱动等严苛场景，是下一代高效能功率设计的理想选择。
