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    DMN10H170SFGQ-7
    DMN10H170SFGQ-7-Diodes代理全新原装现货
    制造：Diodes
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
    器件封装：PowerDI3333-8
    DMN10H170SFGQ-7技术资料下载
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    市场上提供DMN10H170SFGQ-7原装现货的Diodes代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：DMN10H170SFGQ-7
  • 制造商：Diodes Incorporated
  • 描述：MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.9A（Ta），8.5A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：122 毫欧 @ 3.3A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14.9nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：870.7pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：940mW（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PowerDI3333-8
  • DMN10H170SFGQ-7 | Diodes代理全新原装现货
    • Diodes主要产品：More...
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