EPC公司GaN功率模块基于氮化镓HEMT技术，集成驱动与保护电路，实现高频高效功率转换。具备低导通电阻、超快开关速度及优异热性能，适用于数据中心、车载电子、机器人及光伏微型逆变器等空间受限的高密度场景，是替代传统硅基方案的理想选择。

EPC公司高频DC-DC转换器基于氮化镓（GaN）技术，开关频率可达数MHz，显著降低开关损耗与导通电阻，实现高功率密度与高效率。适用于数据中心、48V服务器、激光雷达及车载电子等对体积和散热要求严苛的场景，是替代传统硅基方案的理想选择。

EPC半桥功率级采用eGaN技术，集成两颗GaN FET与驱动器，实现高开关频率、低损耗与紧凑封装。适用于D类音频、无线充电、DC-DC转换及激光雷达驱动，显著提升效率与功率密度，是高频高效电源设计的理想选择。

EPC公司激光雷达驱动IC基于氮化镓技术，专为飞行时间测距设计，具备纳秒级脉冲、高峰值电流与低寄生参数，显著提升激光雷达分辨率与探测距离，适用于自动驾驶、机器人及工业测距等场景。

EPC公司电源管理IC系列基于氮化镓（GaN）技术，集成栅极驱动与功率级，实现高频高效电能转换。产品具备低导通电阻、快速开关与高功率密度特性，适用于数据中心、车载电子、激光雷达及消费类快充等场景。该系列可显著缩小系统体积、提升效率，是替代传统硅基方案的高性能选择。

EPC公司eGaN FET氮化镓场效应晶体管，基于氮化镓-on-硅工艺，具备低导通电阻、低栅极电荷与零反向恢复电荷，开关频率可达数兆赫兹，用于48V DC-DC、激光雷达、Class-D音频及无线充电，显著提升功率密度与效率。

EPC公司的eGaN IC氮化镓集成电路，以高频高效特性重塑功率转换设计。相比传统硅基MOSFET，其开关损耗显著降低，支持更高开关频率与功率密度，适用于DC-DC转换、激光雷达、无线充电及服务器电源等场景，为高能效、小尺寸系统提供核心器件支撑。

EPC公司同步整流器基于氮化镓（GaN）技术，实现极低导通电阻与超快开关速度，显著降低整流损耗。适用于高频率、高密度电源设计，如DC-DC转换器、服务器电源及车载充电器，助力提升系统效率与功率密度。

EPC公司基于氮化镓（GaN）功率器件推出D类音频放大器解决方案，以超低导通电阻与极快开关速度，实现高保真、高效率音频放大。该系列适用于便携音箱、车载音响、智能家居及专业音频设备，显著降低失真与发热，助力系统小型化与续航提升。