EverSpin MR2A16A系列MRAM存储模块采用磁隧道结技术，兼具SRAM级读写速度与闪存级非易失性，无限次擦写，抗辐射、宽温域，适用于工业控制、汽车电子、航空航天等严苛场景，是替代传统SRAM与NVSRAM的理想选择。

EverSpin角度/位置传感器基于隧道磁阻（TMR）技术，提供高精度、低功耗的非接触式角度与位置检测方案。该系列具备宽温区稳定性、抗磁场干扰强及微型封装优势，适用于汽车、工业与消费电子的电机控制、转向与阀门定位等场景，助力实现高可靠、长寿命的智能传感设计。

EverSpin磁性传感器基于隧道磁阻技术，具备高灵敏度、低功耗与宽温区稳定性，适用于工业控制、汽车电子与消费类磁力计应用。其磁力计系列可精准测量微弱磁场，抗干扰能力强，为位置检测、电流传感与电子罗盘提供可靠方案。

EverSpin MR4A16B系列MRAM存储芯片采用先进磁阻技术，兼具SRAM级高速读写与闪存级非易失特性，无限次擦写、抗辐射、宽温工作，适用于工业控制、汽车电子、航空航天等高可靠性场景，是替代传统NVSRAM与BBSRAM的理想方案。

EverSpin抗辐射MRAM采用磁隧道结与自旋电子技术，具备天然抗辐照、非易失、高速读写与无限擦写寿命，专为卫星、深空探测及高可靠航天电子设计，是替代传统SRAM与EEPROM的理想航天级存储方案。

EverSpin磁开关基于先进磁阻技术，为传统磁簧开关提供高可靠替代方案。具备无机械触点、高频响应、长寿命及宽温特性，适用于工业控制、汽车电子与安防传感，助力提升系统集成度与稳定性。

EverSpin非易失性SRAM（nvSRAM）融合SRAM的高速读写与Flash的非易失特性，无需电池即可在断电时自动保存数据，具备无限次读写、高可靠性和微秒级写入优势，广泛应用于工业控制、汽车电子、医疗设备及通信基站等领域，是传统电池后备SRAM的理想升级方案。

EverSpin磁性随机存储器（MRAM）基于自旋电子学原理，兼具SRAM级读写速度与Flash级非易失性，无限次擦写、高耐辐射、宽温区工作。适用于工业控制、汽车电子、航空航天及数据记录等场景，是替代传统非易失存储的高可靠方案。

EverSpin公司STT-MRAM利用自旋转移矩实现高速写入与无限次擦写，兼具SRAM速度与闪存非易失性。适用于工业物联网、汽车电子及边缘计算，提供高可靠、低功耗存储方案，是嵌入式非易失存储的理想选择。