Franjobaim公司晶闸管（可控硅）系列产品，采用先进平面结终端与玻璃钝化工艺，具备高耐压、大电流、低通态压降等特性，广泛应用于电机调速、无功补偿、软启动及电源变换领域，为工业功率控制提供高可靠开关解决方案。

Franjobaim公司TVS瞬态抑制二极管系列，采用先进硅雪崩工艺，具备皮秒级响应与低钳位电压特性，可有效吸收雷击浪涌与静电放电能量。产品涵盖单向与双向构型，适配消费电子、工业控制及汽车电子等严苛场景，为敏感电路提供高可靠瞬态防护。

Franjobaim公司IGBT及IGBT模块采用先进沟槽栅与场截止技术，具备低饱和压降、高短路耐受能力及优异热循环可靠性。产品覆盖600V至1700V电压等级，广泛应用于工业变频、新能源发电、电动汽车及白色家电等领域，为高效功率变换提供核心器件支撑。

Franjobaim快恢复二极管（FRD）系列具备短反向恢复时间与低正向压降特性，适用于高频开关电源、逆变器及PFC电路。产品采用优化外延结构与铂掺杂寿命控制，兼顾软恢复与低损耗，提升系统效率与EMI表现。

Franjobaim公司功率模块系列采用先进封装与低损耗芯片技术，具备高功率密度、优异散热及可靠保护特性，广泛适用于工业电机驱动、光伏逆变与新能源汽车等场景，为高效能电源设计提供核心支撑。

Franjobaim公司碳化硅肖特基二极管采用宽禁带半导体技术，具备零反向恢复电流、耐高温与高开关频率特性，显著降低开关损耗，适用于光伏逆变器、电动汽车充电桩及开关电源等高效能场景，助力系统提升功率密度与可靠性。

Franjobaim公司整流桥及整流模块采用高可靠性芯片与先进封装工艺，具备低正向压降、高浪涌耐受及优异热稳定性，广泛用于工业电源、新能源与消费电子，为AC-DC转换提供高效稳健的整流方案。

Franjobaim公司碳化硅MOSFET系列采用宽禁带半导体技术，具备高耐压、低导通电阻与优异高温高频特性，显著降低开关损耗，适用于新能源汽车、光伏逆变、工业电源等高效高功率密度场景，是替代传统硅基器件的理想选择。

Franjobaim公司ESD静电保护器件系列，采用先进TVS与二极管阵列技术，具备超低钳位电压与快速响应特性，适用于高速数据接口、消费电子及工业控制等场景，为敏感电路提供高可靠静电防护，兼顾信号完整性与长期稳定性。