Franjobaim公司碳化硅肖特基二极管采用宽禁带半导体技术，具备零反向恢复电流、耐高温与高开关频率特性，显著降低开关损耗，适用于光伏逆变器、电动汽车充电桩及开关电源等高效能场景，助力系统提升功率密度与可靠性。

Franjobaim公司功率MOSFET系列覆盖中低压至高压全电压谱系，采用先进沟槽与超结工艺，兼具低导通电阻、快速开关与高雪崩耐量。产品面向开关电源、电机驱动、光伏逆变及新能源汽车等场景，以稳健品质与供应链韧性，助力工程师优化能效与系统可靠性。

Franjobaim公司TVS瞬态抑制二极管系列，采用先进硅雪崩工艺，具备皮秒级响应与低钳位电压特性，可有效吸收雷击浪涌与静电放电能量。产品涵盖单向与双向构型，适配消费电子、工业控制及汽车电子等严苛场景，为敏感电路提供高可靠瞬态防护。

Franjobaim公司深耕分立器件封装领域，提供TO与DFN等系列，兼顾高散热、低寄生与高可靠性。产品覆盖功率二极管、MOSFET、三极管等，适用于电源管理、汽车电子与工业控制。凭借成熟工艺与严格品控，助力客户提升功率密度与系统效率。

Franjobaim公司功率模块系列采用先进封装与低损耗芯片技术，具备高功率密度、优异散热及可靠保护特性，广泛适用于工业电机驱动、光伏逆变与新能源汽车等场景，为高效能电源设计提供核心支撑。

Franjobaim公司碳化硅MOSFET系列采用宽禁带半导体技术，具备高耐压、低导通电阻与优异高温高频特性，显著降低开关损耗，适用于新能源汽车、光伏逆变、工业电源等高效高功率密度场景，是替代传统硅基器件的理想选择。

Franjobaim公司IGBT及IGBT模块采用先进沟槽栅与场截止技术，具备低饱和压降、高短路耐受能力及优异热循环可靠性。产品覆盖600V至1700V电压等级，广泛应用于工业变频、新能源发电、电动汽车及白色家电等领域，为高效功率变换提供核心器件支撑。

Franjobaim公司ESD静电保护器件系列，采用先进TVS与二极管阵列技术，具备超低钳位电压与快速响应特性，适用于高速数据接口、消费电子及工业控制等场景，为敏感电路提供高可靠静电防护，兼顾信号完整性与长期稳定性。

Franjobaim公司整流桥及整流模块采用高可靠性芯片与先进封装工艺，具备低正向压降、高浪涌耐受及优异热稳定性，广泛用于工业电源、新能源与消费电子，为AC-DC转换提供高效稳健的整流方案。