GeneSiC公司提供碳化硅功率器件可靠性测试服务，覆盖高温反偏、高温栅偏、功率循环及短路耐受等关键项目，严格遵循AEC-Q101与JEDEC标准。该服务面向车规级与工业级SiC MOSFET、二极管，助力客户加速器件认证与量产导入。

GeneSiC碳化硅功率器件热管理方案，针对高温、高频、高功率密度场景设计，通过低热阻封装与材料创新，显著提升器件可靠性与寿命。方案覆盖SiC MOSFET、二极管及模块，适用于新能源汽车、光伏逆变、工业电源等领域，助力系统小型化与能效升级。

GeneSiC碳化硅肖特基二极管裸芯片采用先进SiC材料，具备零反向恢复、高耐压与优异热导率，适用于高频、高温及高功率密度场景。裸芯片形式便于集成模块与多芯片封装，为高效能电力电子设计提供可靠核心。

GeneSiC碳化硅功率模块采用先进SiC MOSFET技术，具备低导通电阻、高开关频率与优异高温稳定性，适用于新能源汽车、光伏逆变及工业电源等高效高功率密度场景，助力系统小型化与能效提升。

GeneSiC碳化硅MOSFET裸芯片采用第三代宽禁带半导体技术，具备低导通电阻、高开关频率与优异高温特性，适用于新能源汽车、光伏逆变及工业电源等高效高功率密度场景，为系统小型化与能效提升提供关键支撑。

GeneSiC碳化硅功率器件驱动板专为SiC MOSFET与JFET优化，提供高峰值电流、高共模瞬态抗扰度及快速短路保护，显著降低开关损耗，适用于新能源汽车、光伏逆变器与工业电源等高效率高密度场景。

GeneSiC碳化硅肖特基二极管采用先进SiC材料，具备零反向恢复、高温稳定及高耐压特性，显著降低开关损耗，提升系统效率。适用于光伏逆变器、电动汽车充电、服务器电源等高频高功率场景，是替代硅基快恢复二极管的理想选择。

GeneSiC公司推出的碳化硅功率器件SPICE模型，精准覆盖SiC MOSFET与肖特基二极管，支持主流仿真平台，助力工程师在高温高频工况下快速完成损耗评估与电路验证，显著缩短研发周期，提升系统可靠性。

GeneSiC碳化硅结型场效应晶体管采用常关与常开架构，具备低导通电阻、高开关频率与优异高温稳定性，适用于光伏逆变、电动汽车充电、工业电源及航空电子等高效高可靠性场景。