Goford公司推出碳化硅功率器件系列，涵盖650V至1700V SiC MOSFET与肖特基二极管，具备低导通电阻、高开关频率及优异高温稳定性，适用于新能源汽车、光伏逆变、储能与工业电源，助力系统提升效率与功率密度。

Goford公司沟槽式功率MOSFET采用先进深沟槽栅极工艺，显著降低导通电阻与栅极电荷，提升开关效率与热稳定性。产品覆盖中低压至高压范围，适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换及电池保护等场景，为高效能功率设计提供可靠核心器件。

Goford栅极驱动与保护IC系列集成高侧/低侧驱动、死区控制与多重保护功能，适用于电机驱动、DC-DC转换及逆变器。具备宽输入电压、低传输延时与高抗干扰能力，可显著提升系统效率与可靠性。

Goford屏蔽栅功率MOSFET采用先进电荷平衡结构，显著降低导通电阻与栅极电荷，提升开关效率与功率密度。产品覆盖中低压至高压平台，适用于同步整流、电机驱动、电源管理等场景，兼具高可靠性与热稳定性，是高效能功率转换设计的优选方案。

Goford功率二极管涵盖快恢复与肖特基两大系列，具备低正向压降、快速反向恢复及高浪涌耐受能力，广泛用于开关电源、逆变器、光伏与汽车电子等高效能场景，为工程师提供可靠的整流与续流方案。

Goford超结功率MOSFET采用电荷平衡结构，突破传统硅极限，实现低导通电阻与低栅极电荷的优良平衡。产品覆盖高压至中压区间，适用于高效开关电源、光伏逆变、电机驱动等场景，为高功率密度设计提供可靠选型支撑。

Goford公司平面高压功率MOSFET系列采用成熟平面工艺，兼顾高耐压与低导通电阻，具备优异雪崩耐量和开关特性，广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器及工业控制等高压场景，为设计者提供高可靠性与性价比的国产化选择。

Goford低电压功率MOSFET系列采用先进沟槽栅与屏蔽栅工艺，导通电阻低至1mΩ级别，兼顾开关速度与EMI表现。适用于同步整流、电机驱动、负载开关及电池保护等场景，为高能效小型化设计提供可靠选型支撑。

Goford公司氮化镓功率器件采用增强型HEMT结构，具备低导通电阻、极低栅极电荷与零反向恢复电荷特性，适用于高频高效电源、快充、数据中心及车载充电。其高开关频率与高功率密度优势，助力系统小型化与能效提升，是下一代电力电子设计的优选方案。