RFH30N12-Harris公司 (Harris Corporation, 哈里斯)-原装现货当天发货

RFH30N12

制造：Harris公司 (Harris Corporation, 哈里斯)

类别：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET

规格：N-CHANNEL POWER MOSFET

封装:TO-218 隔离式

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RFH30N12 基本功能

型号:RFH30N12
品牌:Harris Corporation (Harris,哈里斯公司)
封装:TO-218 隔离式
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:150W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-218 隔离式
封装/外壳:TO-218-3 隔离片，TO-218AC
RFH30N12-Harris代理全新原装现货

关于Harris公司 (Harris Corporation, 哈里斯)MORE...

在军工、航空航天与公共安全通信等对失效零容忍的领域，质量体系与可靠性认证往往比参数本身更能定义一家元器件厂商的分量，Harris代理所承载的正是这样一条以严苛合规为底色的产品脉络。Harris Corporation（哈里斯）长期服务于高可靠性场景，其产品从设计验证到批次追溯普遍遵循AS9100航天质量管理体系、ISO 9001通用质量框架以及针对军工配套的MIL-PRF与MIL-STD系列规范，部分器件还需通过QPL合格产品目录认证与NASA级别的高加速应力筛选。在可靠性工程层面，哈里斯强调降额设计、热循环耐受、抗辐射加固与长期供货一致性，尤其面向国防与航天客户时，会依据JESD、EIA等标准完成失效模式与影响分析、老化寿命评估和密封性检测，确保每一批次在极端温度、振动与电离辐射条件下仍保持稳定工作。合规认证方面，产品线还涉及RoHS、REACH环保指令以及ITAR出口管制要求的衔接，这使其在射频与微波、战术通信、夜视与光电、信号情报及空间电子等细分市场具备难以替代的资质壁垒。对代理商与终端设计团队而言，选择哈里斯不仅是在选型手册中寻找参数匹配，更是在导入一套可审计、可追溯、经得起长周期考验的质量承诺，这也解释了为何其器件在雷达前端、卫星载荷与加密通信链路中依然被反复指定。...