Hynix公司企业级SSD采用PCIe NVMe协议，面向数据中心与云计算场景，具备高吞吐、低延迟与高耐久特性，支持U.2/E1.S等规格，满足AI训练、数据库与虚拟化等严苛负载需求。
Hynix海力士UFS通用闪存存储，基于MIPI M-PHY高速串行接口与SCSI命令集，以全双工读写与命令队列机制突破eMMC半双工瓶颈，广泛用于旗舰手机、平板及车载座舱，为移动与嵌入式设备提供低延迟、高带宽的存储方案。
SK海力士GDDR6/GDDR6X图形内存采用先进制程与PAM4信号技术，实现超高带宽与低功耗，专为高端显卡、AI加速及高性能计算设计。其卓越的能效比与信号完整性，满足4K/8K游戏、实时光追与数据中心严苛需求。
Hynix公司TSV硅通孔存储器采用垂直电极贯穿芯片堆叠技术，突破传统封装带宽瓶颈，实现高密度、低功耗与卓越信号完整性。该系列产品面向高性能计算、人工智能加速及高端图形处理，为数据中心与超算平台提供关键存储支撑。
SK Hynix LPDDR5X/LPDDR5移动内存，基于JEDEC标准，速率覆盖6400Mbps至8533Mbps，兼顾高带宽与低功耗。采用先进制程与动态电压调节技术，适用于旗舰智能手机、平板及边缘AI设备，为移动平台提供能效优化的内存解决方案。
SK海力士CXL内存基于Compute Express Link协议，实现CPU与加速器间高带宽、低延迟内存共享，突破传统DIMM容量瓶颈。支持内存池化与分层，适用于AI训练、内存数据库及云原生场景，是下一代数据中心关键内存方案。
SK Hynix HBM高带宽内存采用2.5D/3D封装与TSV硅通孔技术，为AI训练、高性能计算提供超高带宽与低功耗。其堆叠架构突破内存墙，是GPU与加速卡的核心显存方案。
SK Hynix 3D TLC/QLC NAND闪存采用先进堆叠工艺与电荷陷阱技术，兼具高密度、低功耗与稳定耐久性。覆盖消费级到企业级场景，为SSD、移动终端及数据中心提供灵活存储方案，是高性能存储系统的核心选择。
SK Hynix eMMC 嵌入式多媒体卡集成 NAND 闪存与控制器，符合 JEDEC 标准，支持 HS400 高速模式，具备稳定读写性能与低功耗特性，广泛应用于智能手机、平板电脑、车载电子及物联网设备，为移动终端提供高可靠嵌入式存储方案。
