IR公司DC-DC转换器IC系列集成同步整流与PWM控制，支持宽输入电压与高频开关，效率高达95%以上。适用于工业控制、通信基站及消费电子电源设计，具备低静态电流与快速瞬态响应，为高密度电源方案提供可靠核心。

IR公司（国际整流器，现属英飞凌）高压集成电路HVIC系列，集成高压电平位移、栅极驱动与保护功能，耐压达600V/1200V，适用于电机驱动、开关电源及逆变器。其高集成度与高可靠性显著简化设计，提升系统效率与鲁棒性。

IR公司（英飞凌）汽车级功率MOSFET系列通过AEC-Q101认证，采用沟槽与屏蔽栅技术，具备低导通电阻与高雪崩耐量，专为48V轻混、电动助力转向及车载充电器设计，满足严苛车规可靠性要求。

IR公司（现属英飞凌）的PFC系列IC涵盖临界导通、连续导通及交错式拓扑，集成高压驱动与保护功能，适用于开关电源、LED驱动及工业电源，以高可靠性和能效著称，是功率因数校正设计的理想选择。

IR公司（英飞凌旗下）数字功率控制器系列，采用数字环路与自适应算法，实现高精度多相PWM控制。具备快速瞬态响应、可编程补偿及遥测功能，适用于服务器CPU、GPU及AI加速卡供电。以高集成度与能效优化，满足严苛的电压调节模块需求，是高端数字电源设计的优选方案。

IR公司HEXFET系列功率MOSFET采用成熟沟槽与平面工艺，具备低导通电阻、快速开关及高雪崩耐量特性，广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器与汽车电子，是高效能功率转换设计的经典之选。

IR公司（现属英飞凌）智能功率模块IPM集成功率器件、驱动与保护电路，采用IGBT或MOSFET技术，具备低损耗、高可靠性及紧凑封装优势，广泛应用于家电变频、工业电机驱动与新能源逆变领域，是高效功率转换的核心方案。

IR公司（国际整流器，英飞凌）氮化镓功率器件采用GaN-on-Si技术，具备低导通电阻、超快开关速度与高功率密度，适用于服务器电源、车载充电、快充及光伏逆变等高频高效场景，是替代传统硅MOSFET的优选方案。

IR公司（现属英飞凌）IGBT系列融合 trenchstop 与场截止技术，具备低饱和压降、正温度系数及高短路耐受能力，广泛用于工业电机、新能源车与光伏逆变。选型需权衡开关损耗与导通损耗，关注电压等级、电流规格及封装热阻，是高效功率变换的核心器件。