类别：场效应管阵列
规格：MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
32-PQFN
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基本功能
制造商产品型号：IRFHE4250DTRPBF制造厂家名称：IR（International Rectifier）已被英飞凌INFINEON收购描述：MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN系列：FASTIRFETFET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：25V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：86A，303A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.75 毫欧 @ 27A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 35μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1735pF @ 13V功率 - 最大值：156W安装类型：表面贴装产品封装：32-PowerWFQFN供应商器件封装：32-PQFN （6x6）IRFHE4250DTRPBF | IR代理全新原装现货以下产品与IRFHE4250DTRPBF或许具有相似功能：
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