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IXTA1N120P
IXTA1N120P
制造:
IXYS
类别:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:
MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
器件封装:TO-263(IXTA)
IXTA1N120P技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号:IXTA1N120P
制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收购)
描述:MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:PolarVHV?
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):1200V
25°C时电流-连续漏极(Id):1A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):20 欧姆 @ 500mA,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):17.6nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):550pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):63W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:TO-263(IXTA)
IXTA1N120P | IXYS代理全新原装现货
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IXYS产品主要用途:
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