Inventchip瞻芯电子碳化硅二极管驱动芯片，专为高效功率转换设计，具备低损耗、高开关频率与卓越热稳定性。适用于光伏逆变器、电动汽车充电及工业电源，助力系统提升效率与功率密度，是新一代电力电子设计的理想选择。
瞻芯电子隔离型栅极驱动芯片面向SiC MOSFET与IGBT等功率器件，集成电气隔离、高共模瞬态抗扰度与米勒钳位功能，兼顾高可靠与紧凑布局。适用于车载充电机、光伏逆变、电机驱动与工业电源，助力系统提升效率与安全性。
瞻芯电子LLC谐振控制器采用先进拓扑架构，实现高转换效率与低电磁干扰，适用于服务器电源、充电器及工业电源。其精准死区控制与自适应谐振技术显著提升系统可靠性，为高效能电源设计提供理想解决方案。
瞻芯电子推出车规级隔离型栅极驱动系列，专为SiC MOSFET与IGBT的高频高效开关设计。具备高共模瞬态抗扰度、低传输延时与高可靠性，满足AEC-Q100与功能安全要求，广泛应用于新能源汽车电驱、OBC及工业电源，助力提升系统功率密度与能效。
瞻芯电子数字隔离器采用电容隔离架构，具备高共模瞬态抗扰度与低脉宽失真，支持多通道双向配置，适用于工业自动化、新能源及电动汽车等场景，以高可靠性与长寿命满足严苛电气隔离需求。
瞻芯电子非隔离型栅极驱动芯片专为碳化硅MOSFET与IGBT的高频高效驱动设计，具备高峰值电流、低传输延时和强抗干扰能力，适用于光伏逆变、车载充电机、工业电源及电机驱动等场景，助力系统提升功率密度与可靠性。
瞻芯电子碳化硅功率模块采用第三代宽禁带半导体技术，具备高耐压、低导通电阻与优异高温特性，可显著降低开关损耗，提升系统效率与功率密度，广泛应用于新能源汽车、光伏逆变及工业电源等领域。
Inventchip瞻芯电子碳化硅MOSFET采用第三代宽禁带半导体技术，具备低导通电阻、高开关频率与优异高温稳定性，专为新能源汽车OBC、光伏逆变器及工业电源等高效高功率密度场景设计，助力系统能效与可靠性双重提升。
Inventchip瞻芯电子碳化硅肖特基二极管采用先进SiC材料与结势垒控制技术，具备零反向恢复电流、低正向压降及优异高温特性。产品覆盖650V至1700V电压平台，适用于光伏逆变、车载充电、开关电源等高频高效场景，助力系统提升功率密度与可靠性。
