Inventchip瞻芯电子碳化硅肖特基二极管采用先进SiC材料与结势垒控制技术，具备零反向恢复电流、低正向压降及优异高温特性。产品覆盖650V至1700V电压平台，适用于光伏逆变、车载充电、开关电源等高频高效场景，助力系统提升功率密度与可靠性。

瞻芯电子非隔离型栅极驱动芯片专为碳化硅MOSFET与IGBT的高频高效驱动设计，具备高峰值电流、低传输延时和强抗干扰能力，适用于光伏逆变、车载充电机、工业电源及电机驱动等场景，助力系统提升功率密度与可靠性。

瞻芯电子图腾柱PFC控制器采用先进拓扑与智能控制算法，显著提升电源效率与功率密度。该系列支持宽输入范围与高开关频率，适用于服务器电源、通信电源及工业适配器，助力实现高能效、小体积的绿色电源设计。

Inventchip瞻芯电子碳化硅MOSFET采用第三代宽禁带半导体技术，具备低导通电阻、高开关频率与优异高温稳定性，专为新能源汽车OBC、光伏逆变器及工业电源等高效高功率密度场景设计，助力系统能效与可靠性双重提升。

瞻芯电子LLC谐振控制器采用先进拓扑架构，实现高转换效率与低电磁干扰，适用于服务器电源、充电器及工业电源。其精准死区控制与自适应谐振技术显著提升系统可靠性，为高效能电源设计提供理想解决方案。

瞻芯电子碳化硅功率器件驱动评估板，专为SiC MOSFET与SiC肖特基二极管设计，集成高精度栅极驱动、去饱和保护与负压关断功能。该评估板可加速光伏逆变器、车载充电机及工业电源的研发验证，助力工程师优化开关损耗与EMI性能，缩短产品上市周期。

瞻芯电子推出车规级隔离型栅极驱动系列，专为SiC MOSFET与IGBT的高频高效开关设计。具备高共模瞬态抗扰度、低传输延时与高可靠性，满足AEC-Q100与功能安全要求，广泛应用于新能源汽车电驱、OBC及工业电源，助力提升系统功率密度与能效。

瞻芯电子碳化硅功率模块采用第三代宽禁带半导体技术，具备高耐压、低导通电阻与优异高温特性，可显著降低开关损耗，提升系统效率与功率密度，广泛应用于新能源汽车、光伏逆变及工业电源等领域。

瞻芯电子车规级碳化硅MOSFET通过AEC-Q101认证，具备低导通电阻、高开关频率与优异高温稳定性，专为新能源汽车电驱、OBC及充电桩等高效高可靠性场景设计，助力系统提升功率密度与续航表现。