MoSys 1T-SRAM嵌入式存储器IP采用单晶体管存储单元架构，兼顾SRAM级随机访问性能与接近DRAM的高密度集成，广泛用于SoC缓存、网络交换芯片及消费电子主控。其低功耗、高带宽与成熟工艺兼容性，为芯片设计者提供兼具性能与成本的存储子系统方案，是先进制程下嵌入式存储选型的重要参考。

MoSys内存计算加速器采用近存计算架构，将计算单元嵌入存储阵列，突破传统冯诺依曼瓶颈。面向AI推理、网络包处理与数据库加速，兼具高带宽、低延迟与能效优势，是数据中心与边缘计算场景的理想选择。

MoSys虚拟加速器引擎（VAE）以独特可编程架构实现硬件级并行加速，兼具灵活性与高吞吐，适用于数据中心、网络与存储加速场景。其突破传统FPGA与ASIC局限，为系统设计提供高能效比选型方案。

MoSys Stellar嵌入式存储器IP采用专有1T-SRAM架构，在标准逻辑工艺上实现高密度、低功耗片上存储。支持多端口配置与宽温度范围，适用于网络交换、AI加速及汽车电子等对带宽和可靠性要求严苛的场景，显著优化芯片面积与能效。

MoSys Bandwidth Engine系列是高密度智能存储器，集成GigaChip接口与内嵌RISC引擎，突破传统存储器带宽瓶颈。适用于网络交换、数据包处理及AI加速，提供确定性低延迟与超高随机访问性能，是高端通信与计算系统的理想选型。

MoSys数据中心加速卡基于PHE存内计算架构，将计算单元嵌入存储阵列，突破冯诺依曼瓶颈。面向AI推理、数据库加速与实时分析，提供高吞吐、低延迟、低功耗的异构加速方案，是新一代数据中心提升能效比的关键器件。

MoSys多端口存储器IP采用专有1T-SRAM与多端口架构，单周期并行访问，突破传统SRAM带宽瓶颈，适用于网络交换、路由与AI加速。其高密度低功耗特性，助力芯片设计者优化面积与能效，是高性能SoC的理想存储方案。

MoSys TCAM搜索加速器IP采用三态内容寻址存储架构，支持高速并行查找与低功耗设计，适用于路由器、交换机、防火墙及AI推理等场景，兼顾性能与面积效率，为网络与计算芯片提供关键查找加速方案。

MoSys公司推出的片上网络（NoC）IP系列，专为多核SoC与高性能计算芯片提供高带宽、低延迟的片上互连方案。该IP采用模块化拓扑与自适应路由技术，可显著提升芯片通信效率并降低功耗，广泛适用于AI加速、网络处理及汽车电子等领域。