NVE数字磁隔离器基于巨磁阻GMR技术，实现高速、高耐压、低功耗的信号隔离传输。具备高共模瞬态抗扰度与长寿命特性，适用于工业控制、医疗设备及新能源等场景，是光耦与电容隔离之外的可靠选择。

NVE公司磁阻随机存取存储器（MRAM）基于自旋电子学技术，兼具非易失性与高速读写特性，擦写次数近乎无限，抗辐射能力强。适用于工业控制、汽车电子、医疗设备及航空航天等对数据可靠性和耐久性要求严苛的场景，是传统存储方案的理想替代。

NVE IsoLoop磁隔离器采用自旋电子巨磁阻技术，实现高耐压、低功耗、高共模瞬态抗扰度的信号隔离。相比光耦，其寿命更长、速度更高、集成度更优，适用于工业控制、医疗设备、新能源及通信接口等场景，是精密隔离设计的理想选择。

NVE磁阻位置传感器基于隧道磁阻（TMR）与巨磁阻（GMR）技术，具备高灵敏度、低功耗、宽温区与优异抗磁干扰能力。产品涵盖角度、旋转与线性位置检测，适用于工业自动化、汽车电子及医疗设备等严苛场景，为高精度非接触式传感提供可靠方案。

NVE磁阻角度传感器基于巨磁阻GMR技术，实现高精度、非接触式角度测量，具备优异温度稳定性与抗磁场干扰能力，广泛适用于汽车、工业及医疗等严苛场景。

NVE磁阻齿轮传感器基于自旋阀巨磁阻效应，实现非接触式转速与位置检测。其灵敏度高、气隙容忍度大、温漂小，可在宽温范围稳定工作，适用于汽车曲轴、凸轮轴、变速箱及工业电机测速等场景，是替代霍尔与可变磁阻传感器的理想选择。

NVE公司GMR磁阻传感器基于自旋电子学原理，具备高灵敏度、低功耗与优异温度稳定性，适用于位置检测、电流传感及旋转编码。其器件集成度高，抗干扰能力强，可满足工业与汽车电子的严苛需求，是精密磁感测方案的可靠选择。

NVE磁阻电流传感器基于自旋阀巨磁阻效应，实现高精度、高隔离的电流检测。产品具备低功耗、宽温区、抗磁场干扰等优势，适用于工业控制、新能源与汽车电子。选型需关注量程、隔离电压与响应带宽。

NVE公司磁阻磁场传感器基于自旋电子学原理，涵盖AMR、GMR与TMR技术，具备高灵敏度、低功耗、宽温区与优异抗辐射特性。产品广泛应用于工业控制、汽车电子、医疗设备及空间系统，为精密磁场测量提供可靠解决方案。