Navitas GeneSiC碳化硅二极管采用专有MPS结构与薄晶圆工艺，具备零反向恢复、低正向压降及高浪涌耐受能力，覆盖650V至6.5kV电压范围，适用于电动汽车快充、光伏逆变、工业电源等高效率高可靠性场景。

Navitas NV9580是一款集成驱动的GaN半桥功率IC，采用GaNSense技术，集成实时检测与保护，支持高频高效开关。适用于LLC、ACF、图腾柱PFC等拓扑，显著提升服务器、适配器及快充电源的功率密度与效率，简化设计并加速产品上市。

Navitas公司GeneSiC系列SiC MOSFET，基于碳化硅材料实现低导通电阻与高速开关，具备高耐压、高耐温及低损耗特性，适用于新能源汽车、光伏逆变、储能及工业电源等高效高功率密度场景。

Navitas GaNSafe高可靠性GaN功率IC集成驱动、保护与控制，面向数据中心、车载与工业电源，具备低损耗、高开关频率及强鲁棒性，助力高密度高效能设计。

Navitas GaN功率IC涵盖半桥与单管系列，集成驱动器与保护功能，实现高频高效功率转换。其氮化镓技术显著降低开关损耗与导通电阻，适用于快充、数据中心、光伏微逆及车载充电。选型需关注耐压、电流及热设计，是替代硅基方案的优选。

Navitas GaNFast氮化镓功率IC集成驱动与保护，开关频率达MHz级，效率超98%，体积较硅方案缩小三倍。适用于快充、数据中心、光伏逆变及新能源汽车，是高频高效电源设计的优选方案。

Navitas纳微半导体GaN IC数字隔离器基于氮化镓工艺与电容隔离技术，集成高共模瞬态抗扰度与低传播延迟，适用于高频开关电源、电机驱动及车载充电器，助力系统实现高功率密度与高可靠性隔离设计。

Navitas推出的GaNSense智能GaN功率IC集成实时检测与保护功能，兼具高开关频率与低损耗，适用于快充、数据中心及电动汽车。其智能感知技术提升系统可靠性，简化设计，加速宽禁带半导体在高效电源中的普及。

Navitas NV611x系列是集成驱动的GaN功率IC，采用GaNFast技术，将氮化镓功率管与栅极驱动、保护电路单片集成，显著降低寄生参数，支持MHz级高频开关，适用于高密度快充、数据中心电源及车载充电，助力系统小型化与高效化。