Navitas NV611x系列是集成驱动的GaN功率IC，采用GaNFast技术，将氮化镓功率管与栅极驱动、保护电路单片集成，显著降低寄生参数，支持MHz级高频开关，适用于高密度快充、数据中心电源及车载充电，助力系统小型化与高效化。

Navitas纳微半导体GaN IC数字隔离器基于氮化镓工艺与电容隔离技术，集成高共模瞬态抗扰度与低传播延迟，适用于高频开关电源、电机驱动及车载充电器，助力系统实现高功率密度与高可靠性隔离设计。

Navitas GaNFast快充电源方案基于氮化镓功率集成电路，集成驱动与保护，实现高频高效开关。相比传统硅方案，体积更小、功率密度更高，广泛用于手机、笔记本及多口快充，是下一代紧凑型电源设计的优选。

Navitas NV9580是一款集成驱动的GaN半桥功率IC，采用GaNSense技术，集成实时检测与保护，支持高频高效开关。适用于LLC、ACF、图腾柱PFC等拓扑，显著提升服务器、适配器及快充电源的功率密度与效率，简化设计并加速产品上市。

Navitas公司GeneSiC系列SiC MOSFET，基于碳化硅材料实现低导通电阻与高速开关，具备高耐压、高耐温及低损耗特性，适用于新能源汽车、光伏逆变、储能及工业电源等高效高功率密度场景。

Navitas GaN功率IC涵盖半桥与单管系列，集成驱动器与保护功能，实现高频高效功率转换。其氮化镓技术显著降低开关损耗与导通电阻，适用于快充、数据中心、光伏微逆及车载充电。选型需关注耐压、电流及热设计，是替代硅基方案的优选。

Navitas GeneSiC碳化硅二极管采用专有MPS结构与薄晶圆工艺，具备零反向恢复、低正向压降及高浪涌耐受能力，覆盖650V至6.5kV电压范围，适用于电动汽车快充、光伏逆变、工业电源等高效率高可靠性场景。

Navitas GeneSiC碳化硅MOSFET采用第三代宽禁带半导体技术，具备高耐压、低导通电阻与优异高温特性，适用于电动汽车、光伏逆变、储能及工业电源等高频高效场景，助力系统提升功率密度与可靠性。

Navitas NV612x系列GaN功率IC集成半桥驱动与增强型氮化镓HEMT，支持2MHz开关频率，具备低动态导通电阻与零反向恢复电荷，适用于高频AC-DC、DC-DC及电机驱动，显著提升功率密度与能效。