
意法半导体近日推出了全球首个将硅基半桥驱动芯片与一对氮化镓晶体管集成于一体的MasterGaN平台。该方案旨在简化400W以下消费电子及工业电源产品的开发流程,显著缩小适配器尺寸与重量,加速高能效产品上市。对于关注前沿功率半导体方案的IC代理商及设计工程师而言,这标志着电源集成化设计的一个重要节点。
近日,半导体行业迎来一项集成化电源解决方案的重要发布。该方案首次实现了将半桥栅极驱动芯片与两个氮化镓功率晶体管集成在单个封装内,为电源设计领域提供了新的选择。 IC代理商近期参与了IC原厂举办的年度技术峰会,第一时间掌握了下一代网络芯片的技术路线图。作为授权渠道,我们将优先获得新品样片和开发板,为客户提供最新的产品资讯。
氮化镓技术因其能实现更高的功率密度和能效,已成为快充适配器、服务器电源等应用的关键。然而,传统的分立式方案要求设计者精心匹配驱动与晶体管,增加了开发难度与周期。此次推出的集成平台直接解决了这一痛点,通过预置的优化协同工作,降低了设计门槛,有助于缩短产品从研发到量产的时间。
从市场供应和设计角度看,这种高度集成的方案直接带来了物理尺寸的优化。据称,采用该方案的充电器与适配器,相比传统硅基方案,体积可减少高达80%,重量减轻70%。这对于追求极致紧凑的消费电子产品和需要高功率密度的工业场景具有显著吸引力。
该平台的首款量产器件集成了两个额定电流10A的常关型GaN晶体管。其封装厚度仅1毫米,并内置了欠压保护、互锁及过热保护等多项功能,旨在提升系统级可靠性。产品系列的引脚兼容设计,也为工程师升级现有方案提供了便利。
在行业应用层面,此集成方案不仅适用于消费电子快充,也为太阳能储能、不间断电源及高端显示设备等工业级电源拓扑结构,如图腾柱PFC、谐振变换器等,提供了高性能的底层硬件支持。它的推出,预计将推动中低功率电源市场向更高效、更紧凑的方向加速演进。
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