（2026/11/7更新）

在深圳近期举办的第十一届EEVIA年度中国硬科技媒体论坛上，闪存技术的演进与市场应用成为焦点。作为国内半导体存储器领域的核心厂商，兆易创新披露了其闪存业务的最新进展与未来规划。

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据兆易创新Flash事业部产品市场经理张静介绍，自公司推出首颗SPI NOR Flash产品至今，历经十四年发展，其闪存产品累计出货量已超过200亿颗。这意味着，全球有超过200亿台电子设备依靠兆易创新的闪存完成系统启动与代码存储。目前，公司已构建起覆盖27大产品系列、16种容量、4个电压范围及29种封装方式的完整产品矩阵，实现了从消费级到工业级、车规级的全场景覆盖。

当前，市场对闪存的需求呈现出明确的技术趋势：追求更大容量、更高性能、更低功耗和更小封装。面对多样化的应用场景，兆易创新的产品容量范围已覆盖512Kb至8Gb，据称是业界最全的容量支持方案。在性能层面，为满足物联网、汽车电子等对实时性的严苛要求，公司推出了支持200MB/s的T系列产品，以及通过八口SPI接口将速率提升至400MB/s的业界领先方案。

功耗与封装是当下电子元器件设计的关键。随着绿色节能理念普及，低电压产品成为方向。兆易创新提供了从3V至1.2V的多种电压解决方案。在封装技术上，公司持续引领小型化潮流，相继推出了业界首颗1.2×1.2mm USON6封装、WLCSP封装，以及在特定容量上实现业界最小尺寸的FO-USON封装，帮助客户在不改动板级设计的情况下实现容量翻倍。

针对采用先进工艺、核心电压降至1.2V的高性能SoC，传统的1.8V NOR Flash会带来额外的电路复杂度和功耗。对此，兆易创新提供了两种创新方案：一种是核心与IO电压均为1.2V的全低压产品，另一种是核心电压保持1.8V但IO电压降至1.2V的VIO方案。后者尤其值得关注，它在与1.2V SoC直接通信、简化设计的同时，保持了1.8V供电的高性能水平，在功耗与性能间取得了平衡，被认为是汽车电子、手机等应用的理想选择。据悉，该1.2V VIO方案已以GD25NF系列产品形式向客户提供样品。

展望未来，闪存技术仍将持续演进。兆易创新表示，将在现有2Gb容量的基础上探索更大容量，在400MB/s的速率上追求更高性能，并研究支持如1.1V等更低电压的可能性。小封装、大容量的路线也将继续推进。这些技术动向，不仅关乎存储器本身，也将深刻影响下游的系统设计与市场供应格局，为包括IC代理商在内的产业链伙伴带来新的产品组合与市场机遇。

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