NextGen车规级MOSFET系列符合AEC-Q101标准，具备低导通电阻与高雪崩耐量，专为车载电机驱动、DC-DC转换及电池管理设计。其沟槽栅与屏蔽栅技术兼顾效率与可靠性，助力新能源汽车提升功率密度与热稳定性。

NextGen公司PMIC系列电源管理IC集成多路降压、升压与LDO，支持宽输入电压与动态电压调节，具备高转换效率与低静态功耗，适用于工业控制、汽车电子及便携设备，为复杂供电系统提供高集成度、高可靠性的电源管理方案。

NextGen碳化硅功率模块采用第三代半导体技术，具备高耐压、低损耗与高温稳定性，适用于新能源汽车、光伏逆变及工业电源。模块集成优化散热与低感设计，助力系统提升效率与功率密度，是高频高效能场景的理想选择。

NextGen超级结MOSFET采用深沟槽电荷平衡结构，突破传统硅极限，实现更低导通电阻与栅极电荷。适用于服务器电源、光伏逆变及车载充电，兼具高耐压与高频低损优势，是高效能功率转换的理想选择。

NextGen氮化镓功率器件采用增强型HEMT结构，具备低导通电阻与极低栅极电荷，支持MHz级高频开关。覆盖650V至120V全系列，适用于快充、数据中心、光伏逆变及车载OBC，助力系统实现高功率密度与高能效。

NextGen碳化硅肖特基二极管采用宽禁带半导体技术，具备零反向恢复电荷、高开关速度与优异高温稳定性，适用于光伏逆变器、电动汽车充电桩及工业电源等高频高效场景，助力系统提升功率密度与可靠性。

NextGen公司电流传感器系列基于霍尔效应与磁通门技术，提供高精度、低漂移的电流测量方案。产品覆盖开环与闭环架构，支持宽温区稳定工作，适用于新能源汽车、工业变频与光伏逆变等场景，兼具隔离安全与快速响应特性。

NextGen公司栅极驱动器系列涵盖隔离式与非隔离式方案，具备高共模瞬态抗扰度、低传输延时与高峰值输出电流，专为碳化硅与氮化镓功率器件优化，广泛应用于电动汽车、光伏逆变及工业电机驱动，助力提升系统效率与可靠性。

NextGen智能功率模块（IPM）集成IGBT、驱动与保护电路，具备低损耗、高可靠与紧凑封装优势，适用于变频家电、工业电机驱动及新能源功率转换。该系列优化开关特性与热管理，助力系统提升效率、缩小体积并缩短开发周期。