类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT NPT 600V 20A TO220-3
封装:TO-220-3
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基本功能
制造商产品型号:FGP10N60UNDF制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:IGBT NPT 600V 20A TO220-3系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:NPT电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):20A电流-集电极脉冲(Icm):30A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.45V @ 15V,10A功率-最大值:139W开关能量:150μJ(开),50μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:37nC25°C时Td(开/关)值:8ns/52.2ns测试条件:400V,10A,10 欧姆,15V反向恢复时间(trr):37.7ns工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-220-3FGP10N60UNDF | ON代理全新原装现货
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