类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P
器件封装：TO-3P
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基本功能
制造商产品型号：FQA6N90_F109制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：QFET?零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：900V25°C时电流-连续漏极(Id)：6.4A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.9 欧姆 @ 3A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：52nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1880pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：198W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-3PFQA6N90_F109 | ON代理全新原装现货以下产品与FQA6N90_F109或许具有相似功能：
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