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安森美（ON）
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FQB4N20TM
FQB4N20TM
制造：
安森美（ON）
类别：
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：
MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK
器件封装：D2PAK（TO-263AB）
FQB4N20TM技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号：FQB4N20TM
制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）
描述：MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：QFET?
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：200V
25°C时电流-连续漏极(Id)：3.6A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.4 欧姆 @ 1.8A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.5nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：220pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：3.13W（Ta），45W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：D2PAK（TO-263AB）
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