基本功能
制造商产品型号：FQI4N90TU制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：QFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：900V25°C时电流-连续漏极(Id)：4.2A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.3 欧姆 @ 2.1A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：30nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1100pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.13W（Ta），140W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：I2PAK（TO-262）FQI4N90TU | ON代理全新原装现货
