类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
封装：TO-220-3
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基本功能
制造商产品型号：HGTP2N120CN制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 1200V 13A 104W TO220AB系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：NPT电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：13A电流-集电极脉冲(Icm)：20A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，2.6A功率-最大值：104W开关能量：96μJ（开），355μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：30nC25°C时Td（开/关）值：25ns/205ns测试条件：960V，2.6A，51 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3HGTP2N120CN | ON代理全新原装现货以下产品与HGTP2N120CN或许具有相似功能：
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