类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：IGBT 600V 8A 60W TO220
封装：TO-220-3
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基本功能
制造商产品型号：SGP5N60RUFDTU制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 600V 8A 60W TO220系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：8A电流-集电极脉冲(Icm)：15A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，5A功率-最大值：60W开关能量：88μJ（开），107μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：16nC25°C时Td（开/关）值：13ns/34ns测试条件：300V，5A，40 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：55ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3SGP5N60RUFDTU | ON代理全新原装现货以下产品与SGP5N60RUFDTU或许具有相似功能：
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