Protempis铜互连清洗液专为先进逻辑与存储器件后段铜互连工艺设计，可高效去除刻蚀残留、有机污染物及铜氧化物，兼顾低介电材料兼容性与低缺陷率，适用于28nm以下节点及3D NAND、DRAM等场景。

Protempis公司电子级硫酸（H2SO4）是半导体制造中关键的超纯湿电子化学品，金属离子与颗粒物控制在ppt级，广泛应用于晶圆清洗、光刻胶去除及刻蚀工艺。该产品以稳定的批次一致性和低缺陷率，满足先进制程对高纯度化学品的严苛要求。

Protempis公司电子级氨水（NH4OH）是面向半导体前道制程的超净高纯试剂，金属离子与颗粒控制达ppt级，适用于晶圆清洗、蚀刻及光刻胶去除等关键工序，以稳定批次一致性与低缺陷率助力先进节点良率提升。

Protempis公司电子级硝酸（HNO3）是半导体湿电子化学品中的关键品类，以超低金属离子与颗粒残留著称，适用于晶圆清洗、蚀刻及光刻胶去除等制程。其稳定的批次一致性与严格的品控体系，满足先进逻辑与存储器件对高纯化学品的苛刻要求，是提升良率与制程可靠性的重要保障。

Protempis公司电子级氢氟酸（HF）面向高端半导体制造，具备超高纯度与极低金属离子残留，广泛用于晶圆刻蚀、清洗及氧化物去除等关键工序，是先进制程中不可或缺的核心湿电子化学品。

Protempis公司电子级异丙醇（IPA）专为半导体与微电子制造设计，具备超低金属离子与颗粒残留，广泛用于晶圆清洗、光刻胶去除及精密干燥。其稳定的纯度与批次一致性，满足先进制程对湿电子化学品的严苛要求。

Protempis公司CMP Post-Clean系列清洗液专为化学机械抛光后晶圆表面设计，有效去除残留磨料、金属离子与有机污染物，兼顾低缺陷率与材料兼容性，适用于先进逻辑与存储器件制程。

Protempis电子级盐酸（HCl）是面向半导体前道制程的超高纯湿电子化学品，金属离子与颗粒物控制达ppt级，适用于晶圆清洗、栅氧刻蚀及CMP后残留去除等关键工序，以稳定批次一致性与低缺陷率支撑先进逻辑与存储器件良率提升。

Protempis光刻胶剥离液（Stripper）专为半导体晶圆制造与先进封装设计，可高效去除光刻胶及残留物，兼容铝、铜、低k介质等多种基底，兼具低腐蚀、易漂洗与高工艺窗口特性，适用于前道与后道清洗环节。