RAMXEED公司MRAM磁性存储器融合非易失性与高速读写特性，兼具SRAM级速度与Flash级数据保持能力，适用于工业控制、汽车电子、边缘计算等高可靠性场景，是新一代嵌入式存储的理想选择。
RAMXEED公司FeRAM铁电存储器，基于铁电晶体极化原理实现高速读写与超低功耗，兼具非易失性与无限次擦写寿命。适用于工业控制、汽车电子、医疗设备及智能仪表等对数据可靠性和实时性要求严苛的场景，是传统EEPROM与SRAM的理想替代方案。
RAMXEED公司ReRAM阻变存储器基于电阻转变机制，兼具高速读写、低功耗与高耐久特性，支持嵌入式非易失存储。适用于IoT、边缘计算、汽车电子及AI推理场景，为新一代存储架构提供关键选型方案。
RAMXEED公司高可靠性存储芯片系列面向工业控制、汽车电子与医疗设备等严苛环境，采用铁电与磁阻存储技术，具备高速写入、超长耐久及宽温工作特性，在数据保持与抗辐射方面表现优异，为关键任务系统提供稳定可靠的数据存储保障。
RAMXEED公司存内计算芯片系列，基于SRAM/MRAM混合架构实现存储与计算一体化，突破冯诺依曼瓶颈。芯片支持8位定点及混合精度运算，能效比达数十TOPS/W，适用于边缘AI推理、智能传感与可穿戴设备，为低功耗高实时场景提供全新算力范式。
RAMXEED公司存储模组（SiP）采用系统级封装技术，将存储裸片与控制器、无源器件高密度集成于单一封装内，显著缩小占板面积并优化信号完整性。该系列兼顾高可靠性与低功耗，适用于工业控制、网络通信、智能穿戴及汽车电子等空间受限场景，为嵌入式设计提供灵活的存储解决方案。
RAMXEED公司存储控制器芯片系列，面向嵌入式与工业级存储应用，集成高效闪存管理引擎与纠错算法，支持多种NAND接口，兼顾性能与可靠性，为固态存储设备提供稳定核心控制方案。
RAMXEED公司抗辐射存储器系列专为极端辐射环境设计，采用加固型存储单元与ECC纠错架构，总电离剂量耐受能力达1Mrad以上，单粒子翻转率低于1E-11错误/位/天。产品覆盖SRAM、MRAM及NOR Flash，适用于卫星载荷、深空探测与核工业控制，兼具高可靠性与长期供货保障。
RAMXEED存储器接口芯片专为高速内存与主控间信号完整性设计，支持DDR4/5、LPDDR等协议，提供低抖动、低功耗的缓冲与均衡方案。适用于服务器、网络设备及工业计算平台，有效提升链路裕量与系统稳定性，是高性能存储架构的关键使能器件。
