STP80N600K6-ST公司（STMicroelectronics，意法半导体）-原装现货当天发货

STP80N600K6

制造：ST公司（STMicroelectronics，意法半导体）

类别：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET

规格：N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,

封装:TO-220

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STP80N600K6 基本功能

型号:STP80N600K6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:86W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
STP80N600K6-ST代理全新原装现货

关于ST公司（STMicroelectronics，意法半导体）MORE...

在功率器件与微控制器两条主线上同时拥有深厚工艺积淀的原厂并不多见，而这家源自欧洲、由意法半导体（STMicroelectronics）所代表的IDM厂商，恰恰是其中极具辨识度的一家。其核心竞争力深植于BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺的持续迭代从早期将双极、CMOS与DMOS集成于单一芯片，到如今覆盖0.35μm至90nm多个技术节点，这一工艺平台直接决定了其在电源管理、电机驱动与汽车电子领域的参数优势。以STM32系列为例，基于ARM Cortex-M内核的MCU产品线在Flash等待周期、ADC采样率与外设集成度上长期保持代际竞争力，F4系列的180MHz主频与F7系列的216MHz核心频率，配合ART加速器实现近乎零等待的执行效率，这在工业控制与消费电子的实时性要求中构成了硬性门槛。而在功率侧，ST的MDmesh与 trench 栅极技术让高压MOSFET在导通电阻与开关损耗之间取得更优折中，碳化硅二极管与MOSFET的批量导入则进一步回应了新能源汽车与光伏逆变器对高温高频工况的严苛需求。对于需要稳定供货与技术支持的设计团队而言，经由ST代理渠道获取样品、参考设计与失效分析资源，往往能显著缩短从选型到量产的验证周期。值得关注的是，ST近年来在STM32Cube生态与边缘AI工具链上的投入，正使其从单纯的硅片供应商转向系统级方案提供者，这种软硬协同的布局在当下碎片化的应用场景中，反而构成了比单一参数领先更持久的黏性。...