Tagore公司射频功率晶体管采用先进的氮化镓与硅基工艺，覆盖高频至微波频段，具备高功率密度、高效率和优异线性度。适用于5G通信、雷达及工业加热等场景，为射频前端设计提供可靠的核心器件选型方案。

Tagore公司射频收发前端模块集成PA、LNA与开关，覆盖sub-6GHz至毫米波频段，兼具高线性度与低功耗。面向5G基站、小基站及专网通信，助力紧凑型射频前端设计。

Tagore公司射频评估板与参考设计系列，覆盖GaN HEMT及射频开关等核心器件，为工程师提供经过验证的测试平台与设计范例。该系列产品可显著缩短射频前端、基站及国防电子系统的开发周期，降低选型与调试风险，是高频高功率应用场景下值得信赖的工程参考方案。

Tagore公司氮化镓低噪声放大器（GaN LNA）系列，兼具高线性度与低噪声系数，适用于5G基站、雷达及卫星通信等严苛射频前端。其GaN工艺在强干扰环境下仍保持优异动态范围，为系统设计师提供高可靠、高集成的选型方案。

Tagore公司GaN MMIC系列基于氮化镓高电子迁移率晶体管工艺，覆盖DC至Ka波段，兼具高功率密度与高效率。产品适用于5G基站、卫星通信、雷达及电子对抗等场景，以紧凑尺寸实现优异线性度与热稳定性，是高频高功率设计的理想选择。

Tagore公司射频前端集成电路采用氮化镓工艺，集成PA、LNA与开关，具备高功率密度与低噪声特性，适用于5G基站、雷达及卫星通信，助力高效射频链路设计。

Tagore公司氮化镓射频开关凭借高电子迁移率与低导通电阻，在5G基站、相控阵雷达及测试仪器中实现低插损、高隔离与快速切换，兼具高功率耐受与宽温稳定性，是射频前端升级的关键器件。

Tagore公司氮化镓射频功率放大器模块采用先进GaN HEMT工艺，覆盖Sub-6GHz频段，具备高功率密度、高效率和优异线性度，适用于5G基站、国防通信及测试测量设备，是高性能射频前端的理想选择。

Tagore公司宽带氮化镓功率放大器基于GaN HEMT技术，覆盖DC至6GHz以上超宽带频段，兼具高功率密度与高效率。产品采用先进封装与热管理设计，适用于5G通信、电子对抗、测试仪器等场景，为射频系统提供紧凑可靠的功率放大方案。