类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
器件封装：VESM
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基本功能
制造商产品型号：SSM3J35MFV,L3F制造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET P-CH 20V 100MA VESM系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：100mA（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 欧姆 @ 50mA，4V不同Id时Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-Vgs（最大值）：-不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：12.2pF @ 3VFET功能：-功率耗散（最大值）：150mW（Ta）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：VESMSSM3J35MFV,L3F | 东芝半导体代理全新原装现货以下产品与SSM3J35MFV,L3F或许具有相似功能：
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